Wirklich große technologische Durchbrüche gibt es auch in der Computerbranche eher selten, genau einen solchen verkünden nun aber Intel und Micron. Unter dem Namen 3D XPoint haben die beiden Unternehmen eine neue Speichertechnologie vorgestellt, die in den kommenden Jahren das bereits Ende der Achtzigerjahre vorgestellt NAND Flash ablösen soll.

Speed

Die angepriesenen Vorteile klingen jedenfalls beeindruckend: 3D XPoint soll tausendmal schneller arbeiten als der üblicherweise bei SSDs genutzte NAND Flash, und dabei auch um den gleichen Faktor länger haltbar sein. Im Vergleich zu aktuellen NVMe-SSDs soll sich noch immer eine Beschleunigung um den Faktor 100 ergeben.

Ganz so schnell wie DRAM ist 3D XPoint damit zwar noch immer nicht, und doch schrumpft dieser Abstand gewaltig. Möglich wird all dies indem die 3D XPoint ohne Transistoren auskommt, angeordnet sind die einzelnen Zellen in einer räumlichen Gitterstruktur.

Fertigung

Bei all dem handelt es sich auch nicht um ein bloßes Forschungsunterfangen: Die ersten 3D-XPoint-Speicherchips sollen bereits kommendes Jahr mit 16 GByte Umfang auf den Markt kommen. Partnerunternehmen sollen die ersten Testmuster noch heuer bekommen, die Fertigung findet in einer Fabrik von Micron im US-Bundesstaat Utah statt.

Nach und nach

Da zumindest anfänglich zu erwarten ist, dass die Preise für entsprechende Chips deutlich über anderen Speichermedien liegen, wird es bis zur Relevanz für den Consumer-Markt noch einige Zeit dauern. Recht bald könnten entsprechende Systeme hingegen überall dort zum Einsatz kommen, wo große Datenmengen rasch verschoben werden müssen – also all das was unter dem Begriff "Big Data" zusammengefasst werden kann.

In den vergangenen Jahren haben sich übrigens schon andere Hersteller an ähnlichen zwischen Flash und DRAM angesiedelten Technologien versucht – Stichwort ReRAM oder auch Memristor. Wie sich die neue Lösung dazu technisch verhält, ist allerdings noch schwer zu beurteilen, da Intel und Micron bisher nur wenige Details verraten. (apo, 29.7.2015)