Bis zu 30 Prozent mehr Performance bei Chips in Kupfertechnik und sogar 60 Prozent mehr bei solchen in klassischer Aluminiumtechnik erhofft sich IBM durch neue Isolatoren, die eine deutlich niedrigere Dielektrizität aufweisen als die bisher eingesetzten Materialien. Die IBM-Entwickler konnten ein handelsübliches organisches Polymer namens Silk in den Herstellungsprozess einbinden, dessen k-Werte von etwa 3 um 15 bis 30 Prozent unter denen der aktuell eingesetzten Low-k-Dielekrika liegen. Motorola hatte bereits im vorigen Jahr mit der Ankündigung noch erheblich niedrigerer k-Werten auf sich aufmerksam gemacht. Ein anorganischer poröser Film soll Werte bis hinab zu 2 ermöglichen. Doch allerfrühestens 2002 ist mit der Produktionsreife des Motorola-Prozesses zu rechnen. Demgegenüber läuft IBMs Silk-Kupfer Prozess "CMOS 9S" mit lithografisch 0,13 µm Strukturbreite (effektiv 0,08 µm) jetzt schon erfolgreich im Testbetrieb und soll bereits Anfang nächsten Jahres in voller Produktion sein. Auch die IBM-Partner Infineon und UMC sollen übrigens am patentierten Silk-"Breakthrough" partizipieren dürfen. Die ersten in CMOS 9S produzierten Chips gehören zu einer ASIC-Serie namens Cu11, die mit 40 Millionen Transistoren pro Chip aufwarten kann und bei 1,2 V Kernspannung nicht nur schnell, sondern auch sehr stromsparend ist. Prozessoren werden voraussichtlich nicht vor dem zweiten Halbjahr 2001 in dem neuen Verfahren hergestellt. Der gewaltige Power4-Prozessor etwa, dessen erste Prototypen ante portas stehen, wird noch in 0,18-µm-CMOS-8S2SOI gefertigt. (Heise)