Innovationen
IBM rüstet auf: Chips 30 Prozent schneller
Bei Chips mit Aluminiumtechnik sogar 60 Prozent
Bis zu 30 Prozent mehr Performance bei Chips in Kupfertechnik und sogar 60 Prozent mehr bei solchen in
klassischer Aluminiumtechnik erhofft sich IBM durch neue Isolatoren, die eine deutlich niedrigere
Dielektrizität aufweisen als die bisher eingesetzten Materialien. Die IBM-Entwickler konnten ein
handelsübliches organisches Polymer namens Silk in den Herstellungsprozess einbinden, dessen k-Werte
von etwa 3 um 15 bis 30 Prozent unter denen der aktuell eingesetzten Low-k-Dielekrika liegen.
Motorola hatte bereits im vorigen Jahr mit der Ankündigung noch erheblich niedrigerer k-Werten auf sich
aufmerksam gemacht. Ein anorganischer poröser Film soll Werte bis hinab zu 2 ermöglichen. Doch
allerfrühestens 2002 ist mit der Produktionsreife des Motorola-Prozesses zu rechnen. Demgegenüber läuft
IBMs Silk-Kupfer Prozess "CMOS 9S" mit lithografisch 0,13 µm Strukturbreite (effektiv 0,08 µm) jetzt
schon erfolgreich im Testbetrieb und soll bereits Anfang nächsten Jahres in voller Produktion sein. Auch die
IBM-Partner Infineon und UMC sollen übrigens am patentierten Silk-"Breakthrough" partizipieren dürfen.
Die ersten in CMOS 9S produzierten Chips gehören zu einer ASIC-Serie namens Cu11, die mit 40
Millionen Transistoren pro Chip aufwarten kann und bei 1,2 V Kernspannung nicht nur schnell, sondern
auch sehr stromsparend ist. Prozessoren werden voraussichtlich nicht vor dem zweiten Halbjahr 2001 in
dem neuen Verfahren hergestellt. Der gewaltige Power4-Prozessor etwa, dessen erste Prototypen ante
portas stehen, wird noch in 0,18-µm-CMOS-8S2SOI gefertigt. (Heise)