Innovationen
Motorola mit neuer Speichertechnologie MRAM
Zugriffsgeschwindigkeit von 14 Nanosekunden möglich
Die Entwicklungsabteilung von
Motorola, Motorola Labs
, hat gemeinsam mit den
DigitalDNA Laboratories eine neue Speichertechnologie entwickelt, die die
aktuellen Speichertechnologien auf Halbleiterbasis ablösen soll. Der "universelle
Speicher" erlaube die Integration mehrerer Speicheroptionen in einem Chip und
soll damit eine schnellere sowie strom- und kostensparende Lösung für
drahtlose Produkte der nächsten Generation darstellen. Die neue
Speichertechnologie soll bei Smartphones, Organizern, Desktop- und
Notebook-PCs sowie in der Unterhaltungselektronik eingesetzt werden.
"Magnetoresistive Random Access Memory" (MRAM) sei bereits in in Form von
Prototypen vorhanden und erreiche Zugriffgeschwindigkeiten von weniger als 15
Nanosekunden, so Motorola. Außerdem zeichne sich die neue Technik durch
nahezu unbegrenzte Haltbarkeit aus. Mit wenigen Mrd. Schreibzyklen wurde
bewiesen, dass er unendlich oft wiederbeschreibbar ist.
Erstmals habe man über einen MRAM-Test-Chip im Februar mit einer Zugriffszeit
von 24 Nanosekunden berichtet, auf der IEEE International Magnetic Conference
im April dann erreichte man 14ns. Durch die Integration von Advanced CMOS und
MRAM will man nun die Performance weiter steigern. Mit MRAM zielt Motorola auf
Embedded-System-on-Chip-Lösungen für das eigene Halbleitergeschäft ab.
MRAM soll dann die Performance aktueller Speichertechnologien wie
nichtflüchtigem Flash-Speicher oder DRAM vor allem beim Schreiben übertreffen.
MRAM soll dabei Features wie "Instant on" ermöglichen und so die Bootzeit
eliminieren. Im Gegensatz zu DRAM soll es vor allem durch den geringen
Stromverbrauch überzeugen, da kein Refreshing nötig ist. Motorola geht davon
aus, dass die ersten Produkte mit MRAM bereits in einigen Jahren erhältlich sein
werden, derzeit arbeite man noch an einer Steigerung der Speicherdichte.
(pte/golem)