Die Entwicklungsabteilung von Motorola, Motorola Labs , hat gemeinsam mit den DigitalDNA Laboratories eine neue Speichertechnologie entwickelt, die die aktuellen Speichertechnologien auf Halbleiterbasis ablösen soll. Der "universelle Speicher" erlaube die Integration mehrerer Speicheroptionen in einem Chip und soll damit eine schnellere sowie strom- und kostensparende Lösung für drahtlose Produkte der nächsten Generation darstellen. Die neue Speichertechnologie soll bei Smartphones, Organizern, Desktop- und Notebook-PCs sowie in der Unterhaltungselektronik eingesetzt werden. "Magnetoresistive Random Access Memory" (MRAM) sei bereits in in Form von Prototypen vorhanden und erreiche Zugriffgeschwindigkeiten von weniger als 15 Nanosekunden, so Motorola. Außerdem zeichne sich die neue Technik durch nahezu unbegrenzte Haltbarkeit aus. Mit wenigen Mrd. Schreibzyklen wurde bewiesen, dass er unendlich oft wiederbeschreibbar ist. Erstmals habe man über einen MRAM-Test-Chip im Februar mit einer Zugriffszeit von 24 Nanosekunden berichtet, auf der IEEE International Magnetic Conference im April dann erreichte man 14ns. Durch die Integration von Advanced CMOS und MRAM will man nun die Performance weiter steigern. Mit MRAM zielt Motorola auf Embedded-System-on-Chip-Lösungen für das eigene Halbleitergeschäft ab. MRAM soll dann die Performance aktueller Speichertechnologien wie nichtflüchtigem Flash-Speicher oder DRAM vor allem beim Schreiben übertreffen. MRAM soll dabei Features wie "Instant on" ermöglichen und so die Bootzeit eliminieren. Im Gegensatz zu DRAM soll es vor allem durch den geringen Stromverbrauch überzeugen, da kein Refreshing nötig ist. Motorola geht davon aus, dass die ersten Produkte mit MRAM bereits in einigen Jahren erhältlich sein werden, derzeit arbeite man noch an einer Steigerung der Speicherdichte. (pte/golem)