Hamburg - Physiker des Zentrums für Mikrostrukturforschung der Universität Hamburg arbeiten an der Entwicklung elektronischer Bauelemente, wie Transistoren, im Nanobereich. Transistoren bestehen aus Halbleitermaterialien, wie Silizium, die absichtlich mit Fremdatomen "verschmutzt" werden. Je nach "Verschmutzungsgrad", der Dotierung, haben sie unterschiedliche elektronische Eigenschaften. Diese Eigenschaften können bei sehr kleinen Transistoren schon durch wenige Fremdatome mehr oder weniger verändert werden. Die Hamburger Arbeitsgruppe vom Zentrum für Mikrostrukturforschung versucht die Struktur und die Dotierung von Halbleitern möglichst aufs Atom genau zu bestimmen. Schon heute ist die Arbeitsgruppe mit so genannten Rasterkapazitätsmikroskopen (SCM) in der Lage, die Halbleiterdotierung auf wenige Nanometer genau abzubilden. Im Rahmen des Projektes wird es darum gehen, noch kleinere Strukturen zu vermessen und das Verfahren soweit zu vereinfachen, dass es industriell einsetzbar ist. Schon heute sind Transistoren auf Computerchips so klein, dass man sie mit herkömmlichen Lichtmikroskopen nicht mehr erkennen kann. Es bedarf daher der Mikroskopiemethoden aus der Nanotechnologie um die elektronischen Schaltungen heutiger und zukünftiger Computerchips genau unter die Lupe zu nehmen. (pte)