München - Infineon hat die ersten
Schottky-Dioden aus
Siliziumkarbid vorgestellt.
Solche Dioden ermöglichen
deutlich geringere
Schaltungsverluste und
höhere Schaltfrequenzen
als Dioden aus Silizium-
oder Galium-Arsenid. Damit
lassen sich nach Angaben
von Infineon kleinere und
kompaktere Schaltnetzteile
mit hoher Zuverlässigkeit
herstellen, die zusätzlich
ohne Kühlkörper oder Lüfter
auskommen.
"Ein wesentlicher Vorteil der von Infineon entwickelten SiC-Technologie ist,
dass sie nahezu verlustfrei und sehr schnell schaltende Dioden ermöglicht.
Dadurch werden nicht nur die Gesamtverluste reduziert, sondern auch die
Zuverlässigkeit erhöht und die Systemkosten gesenkt", erklärt Reinhard
Ploss, Leiter des Geschäftsbereiches Automotive & Industrial bei Infineon.
Für die Hersteller von Schaltelementen ermöglichen Schottky-Dioden aus
Siliziumkarbid (SiC) den Einsatz von kleineren Transistoren oder passiven
Bauelementen wie Spulen und Kondensatoren. Dadurch können die
Systemkosten für Schaltelemente gesenkt werden.
Der Halbleiter hat eine mit Kupfer vergleichbare thermische Leitfähigkeit,
weswegen das Material für hochsperrende Leistungsbauelemente geeignet
ist. Diese Materialeigenschaften kommen in geringen Leckströmen, geringem
On-Widerstand und hohen Stromdichten zum Tragen. So lassen sich mit SiC
Dioden mit einer Sperrspannung zwischen 300 und 3.500 Volt realisieren.
Infineon wird die SiC-Schottky-Dioden mit Sperrspannungen von 600 Volt
sowie 300 Volt in verschiedenen Gehäusen anbieten. Bei einer Abnahme von
10.000 Stück kostet eine Diode mit einer Sperrspannung von 600 Volt 3,50
Euro, eine Diode mit einer Sperrspannung von 300 Volt 7,70 Euro. Die ersten
Muster stehen bereits zur Verfügung. Die Serienfertigung soll im April
anlaufen. (pte)
