Austin/Texas - Silicon Laboratories , US-Hersteller von Mixed Signal-Schaltkreisen, hat nach eigenen Angaben das weltweit erste vollständig auf CMOS-Technologie aufgebaute Transceiver-Chipset für digitale Dual- und Triple-Band-Mobiltelefone vorgestellt. Der GSM-Transceiver-Chipsatz "Aero" soll Kosten dadurch senken, dass er das Design vereinfacht und den Faktor verringert, den die RF(Radio Frequency)-Schaltkreise bei GSM-Endgeräten für Stimm- und Datenübertragung bei Form und Größe ausmachten. Die Lösung baut auf die patentierte CMOS-RF-Technologie des Unternehmens auf, eliminiert den IF-SAW-Filter, die externen Low-Noise-Verstärker (LNA) für drei Frequenzbereiche, die VCO-Module (Voltage Controlled Oscillator) für Übertragung und Signal und mehr als 60 weitere Einzelkomponenten, die in konventionellen GSM-Geräten verwendet werden. Vom Hersteller wird der Aero-Chipsatz als bedeutender Schritt auf dem Weg zu dem von der Branche angestrebten Ein-Chip-Gerät dargestellt. Da immer neue Multimedia-Funktionen in Mobiltelefone integriert werden, ist der auf der Platine verfügbare Raum Gold wert. Der Aero-Transceiver sei das einzige Produkt seiner Art, das auf dieses Bedürfnis ohne übermäßig komplexe Anforderungen an das Design, wie sie bei einigen Direktumwandlungs-Transceivern zu finden sind, antwortet. Grundlegendes Ein Mobiltelefon besteht aus den zwei primären Teilsystemen Radio Frequency und Basisband. Im Normalfall wird jedes Teilsystem von einem anderen Hersteller geliefert, was dazu führt, dass der Geräte-Entwickler ein RF-Front-End auswählen muss, das mit dem bevorzugten Basisband-Teilsystem kompatibel ist. Das universelle Basisband-Interface von Silicon Labs ist über einfache Software-Befehle programmierbar und ermöglicht es den Entwicklern, das Aero-RF-Front-End in Verbindung mit jeder beliebigen Basisband-Lösung einzusetzen. Der Aero-Transceiver umfasst den Si4200 Transceiver mit 32-poligem Micro-Leadframe-Gehäuse (MLF-Gehäuse), das Basisband-Interface Si4201 mit 20-poligem MLF-Gehäuse und den RF-Synthesizer Si4133T mit 28-poligem MLF-Gehäuse. Testplatine und Muster sind ab sofort erhältlich, die Massenproduktion soll im zweiten Quartal des Jahres 2001 aufgenommen werden.(pte)