In den US-amerikanischen Medien häufen sich die Berichte wonach es den Entwicklern von IBM gelungen ist einen Transistor mit 210 GHz zu bauen. Die neuen Silizium-Germanium-Transistoren, die eine Transitfrequenz von 210 GHz haben sollen, werden in wenigen Wochen auf dem Markt erhältlich sein. Diese "Super-Chpis" wären 100 Mal schneller als der jüngste Pentium 4. Technische Einzelheiten und nähere Informationen über Release und Preis wurden noch nicht bekannt gegeben. Besonderer Erfolg für IBM IBM bezeichnete es als besonderen Erfolg, dass der Chip aus billigem Silizium besteht und nicht aus exotischen Materialien wie Galliumarsenid oder Indiumphosphid. Dies beweise, dass superschnelle Rechnerbestandteile mit günstigen Grundstoffen gebaut werden könnten. Auf dem Siliziumchip bauten die Wissenschafter eine nur 200 Atome dicke Schicht von Siliziumgermanium auf, das die große Geschwindigkeit ermöglichte. Die Entwicklung könnte später beispielsweise in Mobiltelefonen eingesetzt werden, um dort breitbandige Videoübertragungen zu ermöglichen. IBM forschte schon seit zwölf Jahren an Silizium-Germanium Bauteilen. Schon Ende 1999 kam ein heterobipolare Transitoren mit 90 GHz Transitfrequenz auf den Markt. (red)